2SB1197KT146R, TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50136 шт., срок 8-10 недель
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
28 ֏
от 1000 шт. —
27 ֏
26 шт.
на сумму 936 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 0.8A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SB1197K |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг