RQ3E100BNTB, MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
2664 шт., срок 8-10 недель
102 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
97 ֏
от 100 шт. —
88 ֏
от 500 шт. —
81 ֏
9 шт.
на сумму 918 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
N-канал 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Поверхностный монтаж 8-HSMT (3,2x3)
Технические параметры
| Base Product Number | RQ3E100 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A;21A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10.4mΩ@10A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.1nF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W;15W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Type | null |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1539 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг