IMT1AT110, TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 шт., срок 8-10 недель
49 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 100 шт. —
42 ֏
18 шт.
на сумму 882 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | IMT1A |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | IMT1AT110 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | SMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -150 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SC-74 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг