2SCR523UBTL, TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43341 шт., срок 8-10 недель
14 ֏
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
от 500 шт. —
12 ֏
от 1000 шт. —
11 ֏
63 шт.
на сумму 882 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR523UB |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SCR523UB |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | UMT-3 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR523UBTL
pdf, 1497 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг