IMX1T110, TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52506 шт., срок 8-10 недель
53 ֏
Мин. кол-во для заказа 17 шт.
от 100 шт. —
49 ֏
от 500 шт. —
43 ֏
17 шт.
на сумму 901 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | IMX1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IMX1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.6 mm |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-457 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Type | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг