2SK3065T100, MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43300 шт., срок 8-10 недель
124 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 1000 шт. —
102 ֏
100 шт.
на сумму 12 400 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 50 ns |
| Время спада | 70 ns |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 120 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 70 ns |
| Height | 1.5 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Length | 4.5 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms |
| Rise Time | 50 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 120 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 2.5 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 85 КБ
Datasheet 2SK3065T100
pdf, 87 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг