UMT3904T106, TRANS NPN 40V 0.2A UMT3

UMT3904T106, TRANS NPN 40V 0.2A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
32684 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 100 шт.36 ֏
от 500 шт.33 ֏
от 1000 шт.31 ֏
23 шт. на сумму 920 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8024283946
Бренд: Rohm

Описание

40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-323 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Brand: ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 40
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-323-3
Part # Aliases: UMT3904
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 691 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг