DTC114EUAT106, TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
7061 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 100 шт. —
15 ֏
50 шт.
на сумму 900 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
30@5mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V 500nA SC-70-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Base Part Number | DTC114 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Series | - |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet DTC114EUAT106
pdf, 61 КБ
Документация
pdf, 4052 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг