RK7002BMT116, MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
![Фото 1/3 RK7002BMT116, MOSFET N-CH 60V 250MA SST3](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/350/DOC025350438.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC041944459.jpg)
70676 шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
от 100 шт. —
16 ֏
45 шт.
на сумму 990 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 250mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4О© @ 250mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 1mA |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 28 ns |
Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product Category | MOSFET |
Rise Time | 5 ns |
RoHS | Details |
Series | RK7002BM |
Technology | Si |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V, 0.3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Type | null |
Case | SOT23 |
Drain current | 0.25A |
Drain-source voltage | 60V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 2.4Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 200/350mW |
Pulsed drain current | 1A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг