2SD2391T100Q, TRANS NPN 60V 2A MPT3

2SD2391T100Q, TRANS NPN 60V 2A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
70 шт., срок 8-10 недель
150 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.141 ֏
6 шт. на сумму 900 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024517033
Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 2A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 45
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 270
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.13 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 210 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SD2391
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 60V
Maximum DC Collector Current 2A
Pd - Power Dissipation 2W
Transistor Type NPN
Collector Current (Ic) 2A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 130mV@1A, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@500mA, 2V
Power Dissipation (Pd) 2W
Transition Frequency (fT) 210MHz

Техническая документация

Datasheet 2SD2391T100Q
pdf, 479 КБ
Datasheet 2SD2391T100Q
pdf, 1345 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг