RE1C002UNTCL, MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
![RE1C002UNTCL, MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC021573768.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33854 шт., срок 8-10 недель
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
от 100 шт. —
27 ֏
от 500 шт. —
24 ֏
от 1000 шт. —
23 ֏
31 шт.
на сумму 961 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
MOSFET, N-CH, 20V, 0.2A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Threshold Voltage Vgs
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.8Ом |
Power Dissipation | 150мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 200мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416FL |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 0.2(A) |
Drain-Source On-Volt | 20(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±8(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | EMTF |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Polarity | N |
Rad Hardened | No |
Type | Small Signal |
Техническая документация
Datasheet RE1C002UNTCL
pdf, 2542 КБ
Документация
pdf, 1460 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг