RUM002N05T2L, MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56010 шт., срок 8-10 недель
49 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 500 шт. —
40 ֏
от 1000 шт. —
37 ֏
от 2000 шт. —
34 ֏
20 шт.
на сумму 980 ֏
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 55 ns |
| Forward Transconductance - Min | 400 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-723-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | RUM002N05 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 Ohms |
| Rise Time | 6 ns |
| Series | RUM002N05 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@200mA, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet RUM002N05T2L
pdf, 1533 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг