2SC4617TLR, TRANS NPN 50V 0.15A EMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58166 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
от 100 шт. —
21 ֏
от 500 шт. —
20 ֏
34 шт.
на сумму 918 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A SOT-416
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.7 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SC4617 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4385 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг