FDD5614P, MOSFET P-CH 60V 15A TO252

Фото 1/2 FDD5614P, MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.383 ֏
от 150 шт.313 ֏
от 500 шт.272 ֏
5 шт. на сумму 3 100 ֏
Номенклатурный номер: 8024639653

Описание

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 15 A
Maximum Drain Source Resistance 100 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 42 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series PowerTrench
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 15 nC @ 10 V
Width 6.22mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 101 КБ