FDD5614P, MOSFET P-CH 60V 15A TO252
![Фото 1/2 FDD5614P, MOSFET P-CH 60V 15A TO252](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC044597468.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/829/DOC032829589.jpg)
620 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
383 ֏
от 150 шт. —
313 ֏
от 500 шт. —
272 ֏
5 шт.
на сумму 3 100 ֏
Описание
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 42 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |