BSP52T1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
238 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
176 ֏
от 1000 шт. —
146 ֏
от 3000 шт. —
129 ֏
100 шт.
на сумму 23 800 ֏
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 90 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 2000 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Width | 3.5mm |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Datasheet BSP52T1G
pdf, 90 КБ