DTA114EMT2L, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4000 шт., срок 8 недель
75 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 4000 шт. —
49 ֏
500 шт.
на сумму 37 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: PNP
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.2 mm |
| Другие названия товара № | DTA114EM |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | DTA114EM |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet DTA114EMT2L
pdf, 1409 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг