DTC114YMT2L, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7000 шт., срок 8 недель
66 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 4000 шт. —
44 ֏
500 шт.
на сумму 33 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 70mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 70 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 68 |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | VMT-3 |
| Part # Aliases: | DTC114YM |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.2 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1107 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг