BCP55, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
286 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
198 ֏
от 150 шт. —
181 ֏
от 500 шт. —
155 ֏
5 шт.
на сумму 1 430 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SOT-223 NPN GP AMP
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | BCP55_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | BCP55 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.56 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |