BD239C, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.4 mm |
Длина | 10.1 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 115 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1200 |
Серия | BD239C |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 100В |
Continuous Collector Current | 2А |
DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
Power Dissipation | 30Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Lead Finish | Tin |
Maximum Collector Base Voltage | 115 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.7@0.2A@1A V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 2000 mW |
Minimum DC Current Gain | 40@0.2A@4VI15@1A@4V |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature | -65 to 150 °C |
Type | NPN |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet BD239C
pdf, 146 КБ