BD239C, Транзистор: NPN

Фото 1/2 BD239C, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 190 ֏
от 10 шт.750 ֏
1 шт. на сумму 1 190 ֏
Номенклатурный номер: 8024652766

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 30 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.4 mm
Длина 10.1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 115 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 1200
Серия BD239C
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Collector Emitter Voltage Max 100В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 15hFE
DC Усиление Тока hFE 15hFE
Power Dissipation 30Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Lead Finish Tin
Maximum Collector Base Voltage 115 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.7@0.2A@1A V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Power Dissipation 2000 mW
Minimum DC Current Gain 40@0.2A@4VI15@1A@4V
Mounting Through Hole
Operating Temperature -65 to 150 °C
Type NPN
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet BD239C
pdf, 146 КБ