UMG3NTR, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3160 шт., срок 5-6 недель
71 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
44 ֏
от 300 шт. —
35 ֏
от 3000 шт. —
28 ֏
10 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA SOT-353
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.77 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | UMG3N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Dual Common Emitter |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMG3N |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | UMT-5 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Base Product Number | *MG3 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | UMT5 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet UMG3NTR
pdf, 1289 КБ
Datasheet UMG3NTR
pdf, 1313 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг