FDPF2D3N10C, Транзистор: N-MOSFET

Фото 1/2 FDPF2D3N10C, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 200 ֏
от 10 шт.5 400 ֏
1 шт. на сумму 6 200 ֏
Номенклатурный номер: 8024688878

Описание

МОП-транзистор PTNG N-CH 100V/120V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 222 A
Pd - рассеивание мощности 45 W
Qg - заряд затвора 152 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 35 ns
Время спада 32 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 222 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FDPF2D3N10C
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 74 ns
Типичное время задержки при включении 42 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220F-3
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.3V
Maximum Continuous Drain Current 222 A
Maximum Drain Source Resistance 2.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 45 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220F
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 108 nC @ 10 V
Width 4.9mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet FDPF2D3N10C
pdf, 433 КБ