FDPF2D3N10C, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 200 ֏
от 10 шт. —
5 400 ֏
1 шт.
на сумму 6 200 ֏
Описание
МОП-транзистор PTNG N-CH 100V/120V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 222 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 152 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 32 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 222 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FDPF2D3N10C |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 74 ns |
Типичное время задержки при включении | 42 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220F-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.3V |
Maximum Continuous Drain Current | 222 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 45 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
Width | 4.9mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet FDPF2D3N10C
pdf, 433 КБ