US6X8TR, TUMT-6 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2655 шт., срок 5-6 недель
269 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
150 ֏
от 150 шт. —
128 ֏
от 500 шт. —
103 ֏
5 шт.
на сумму 1 345 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN 30VCEO 1A SOT-363T
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.77 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | US6X8 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363T-6 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet US6X8TR
pdf, 964 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг