2SD2114KT146V, TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71934 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 500 шт. —
33 ֏
от 1000 шт. —
31 ֏
23 шт.
на сумму 920 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V 0.5A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 2700 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.18 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2114K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.18 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 820 |
| DC Current Gain hFE Max | 2700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SD2114K |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Width | 1.6 mm |
Техническая документация
Datasheet 2SD2114KT146V
pdf, 103 КБ
Документация
pdf, 1343 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг