2SB1182TLQ, TRANS PNP 32V 2A CPT3
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
457 шт., срок 8-10 недель
216 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 100 шт. —
194 ֏
4 шт.
на сумму 864 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярный (BJT) транзистор PNP 32V 2A 100MHz 10W Surface Mount CPT3
Технические параметры
Base Product Number | 2SB1182 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Power - Max | 10W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | CPT3 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Base Part Number | 2SB1182 |
Manufacturer | Rohm Semiconductor |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Not For New Designs |
Series | - |
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
Power Dissipation (Pd) | 10W |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг