2SB1561T100Q, TRANS PNP 60V 2A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8-10 недель
84 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 84 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 2A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SB1561 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | - 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 60 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | - 2 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 270 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | - 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
| Height | 1.5 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Series | 2SB1561 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.004603 oz |
| Width | 2.5 mm |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Техническая документация
Datasheet 2SB1561T100Q
pdf, 1435 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг