DTC123JKAT146, TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16832 шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
от 500 шт. —
19 ֏
от 1000 шт. —
18 ֏
40 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт SMT3 для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | DTC123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
| DC Current Gain hFE Max | 80 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Reel |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| RoHS | Details |
| Series | DTC123JKA |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Width | 1.6 mm |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг