2SA2039-E, 50V 800mW 200@500mA,2V 5A PNP - BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 5А |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 15Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Частота Перехода ft | 360МГц |
Base Part Number | 2SA2039 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Frequency - Transition | 360MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Power - Max | 800mW |
Series | - |
Supplier Device Package | TP |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 430mV @ 100mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ