BC847PNQ-7R-F, SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 BC847PNQ-7R-F, SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
106 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.80 ֏
5 шт. на сумму 530 ֏
Номенклатурный номер: 8025031381
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-363-6
Collector Emitter Voltage Max NPN 45В
Collector Emitter Voltage Max PNP 45В
Continuous Collector Current NPN 100мА
Continuous Collector Current PNP 100мА
DC Current Gain hFE Min NPN 200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP 200hFE
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation NPN 200мВт
Power Dissipation PNP 200мВт
Transition Frequency NPN 300МГц
Transition Frequency PNP 200МГц
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet
pdf, 432 КБ