BC847BFAQ-7B, DFN-3(0.8x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
![BC847BFAQ-7B, DFN-3(0.8x0.6) BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597807.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
132 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
97 ֏
5 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 435 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 470 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 122 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 170 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet BC847BFAQ-7B
pdf, 271 КБ