BCW66HQTA, SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

185 ֏

Кратность заказа 5 шт.

5 шт. на сумму 925 ֏

Номенклатурный номер: 8025032242

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	250
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	630
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.7 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	800 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.06

pdf, 191 КБ