BC857BLT3G, 45V 300mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

BC857BLT3G, 45V 300mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
49 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.31 ֏
от 600 шт.22 ֏
от 2000 шт.20 ֏
20 шт. на сумму 980 ֏
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8025032719

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия BC857BL
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 215 КБ