BD180G, 80V 30W 40@150mA,2V 1A PNP TO-225 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/4 BD180G, 80V 30W 40@150mA,2V 1A PNP TO-225 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт.660 ֏
от 30 шт.620 ֏
от 100 шт.550 ֏
1 шт. на сумму 970 ֏
Номенклатурный номер: 8025034150

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 30 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 11.04 mm (Max)
Длина 7.74 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 500
Серия BD180
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-225-3
Ширина 2.66 mm (Max)
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 40hFE
DC Усиление Тока hFE 40hFE
Power Dissipation 30Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-225AA
Частота Перехода ft 3МГц
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V
Maximum DC Collector Current -1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 3 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 30 W
Minimum DC Current Gain 40
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-225
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 1(A)
Collector Current (DC) (Max) 1 A
Collector-Base Voltage 80(V)
Collector-Emitter Voltage 80(V)
Configuration Single
DC Current Gain 15
DC Current Gain (Min) 15
Emitter-Base Voltage 5(V)
Frequency 3(MHz)
Frequency (Max) 3 MHz
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Packaging Box
Rad Hardened No
Transistor Polarity PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 81 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 84 КБ