BD180G, 80V 30W 40@150mA,2V 1A PNP TO-225 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 30 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
550 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11.04 mm (Max) |
Длина | 7.74 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | BD180 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm (Max) |
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
Power Dissipation | 30Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-225AA |
Частота Перехода ft | 3МГц |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-225 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 1(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 1 A |
Collector-Base Voltage | 80(V) |
Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 15 |
DC Current Gain (Min) | 15 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 3(MHz) |
Frequency (Max) | 3 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Packaging | Box |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 81 КБ
Datasheet BD180G
pdf, 84 КБ