BZT52C9V1LPQ-7, DFN-2(1x0.6) Zener DIodes
![BZT52C9V1LPQ-7, DFN-2(1x0.6) Zener DIodes](https://static.chipdip.ru/lib/521/DOC006521309.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
80 ֏
5 шт.
на сумму 465 ֏
Описание
Стабилитроны Zener Diode X1-DFN1006-2 T&R 3K
Технические параметры
Ir - обратный ток | 0.5 uA |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Vf - прямое напряжение | 900 mV |
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 9.1 V |
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 15 Ohms |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.53 mm |
Длина | 1.075 mm |
Допустимое отклонение напряжения | 6 % |
Зенеровский ток | 0.5 uA |
Категория продукта | Стабилитроны |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BZT52C2V4LP - BZT52C39LP |
Температурный коэффициент напряжения | 7 mV/C |
Тип продукта | Zener Diodes |
Ток испытаний | 5 mA |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | DFN1006-2 |
Ширина | 0.675 mm |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ