FCPF650N80Z, 800V 8A 30.5W 650mOhm@10V,4A N Channel TO-220F-3 MOSFETs
![Фото 1/2 FCPF650N80Z, 800V 8A 30.5W 650mOhm@10V,4A N Channel TO-220F-3 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478580.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516945.jpg)
3 170 ֏
от 10 шт. —
2 200 ֏
от 30 шт. —
1 950 ֏
1 шт.
на сумму 3 170 ֏
Описание
МОП-транзистор SF2 800V 650MOHM E TO220F
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 30.5 W |
Qg - заряд затвора | 27 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 11 ns |
Время спада | 3.4 ns |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCPF650N80Z |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 530 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Series | SuperFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Width | 4.9mm |
Вес, г | 2.11 |