DMP4025SFG-13, 40V 4.65A 25mOhm@10V,3A 810mW P Channel PowerDI3333-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
330 ֏
от 150 шт. —
286 ֏
от 500 шт. —
236 ֏
5 шт.
на сумму 2 650 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 30.9 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16.6 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.2 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 810 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Rise Time: | 14.7 ns |
| Series: | DMP40 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 382 КБ