DMT10H015LSS-13, 100V 8.3A 16mOhm@10V,20A 1.2W N Channel SO-8 MOSFETs

DMT10H015LSS-13, 100V 8.3A 16mOhm@10V,20A 1.2W N Channel SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 10 шт.620 ֏
от 30 шт.498 ֏
от 100 шт.416 ֏
1 шт. на сумму 1 020 ֏
Номенклатурный номер: 8025167246
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 8.1 ns
Id - Continuous Drain Current: 8.3 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOIC-8
Pd - Power Dissipation: 1.2 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 33.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 16 mOhms
Rise Time: 7 ns
Series: DMT10
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 19.7 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 0.26

Техническая документация

Datasheet
pdf, 438 КБ