DMN2990UFZ-7B, 20V 250mA 320mW 990mOhm@4.5V,100mA N Channel X2-DFN0606-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 320 mW |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 990 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 2.1 ns |
| Время спада | 7.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | DMN2990 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0606-3 |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet DMN2990UFZ-7B
pdf, 249 КБ