DMN4027SSD-13, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 30 шт. —
540 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Forward Transconductance - Min: | 22.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Series: | DMN40 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 27@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2140 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 7.5 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 12.9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.3@4.5V|12.9@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 604@20V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.1 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15.4 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.1 |
| Вес, г | 0.16 |