DMTH4007SPD-13, TDFN-8-Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 30 шт. —
860 ֏
1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 8.8 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerDI5060-C-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 41.9 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.9 mOhms |
Rise Time: | 11.5 ns |
Series: | DMTH4007 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 409 КБ