DMN65D9L-7, 60V 335mA 4Ohm@500mA,10V 270mW N Channel SOT-23-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
10 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 335 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 270 mW |
| Qg - заряд затвора | 400 fC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 102 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес, г | 0.02 |