DMN3020UTS-13, 30V TSSOP-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 ֏
от 10 шт. —
357 ֏
1 шт.
на сумму 436 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 15 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 1.4 W |
| Qg - заряд затвора: | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 400 mV |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 4.8 ns |
| Время спада: | 3.2 ns |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 20.5 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 4.1 ns |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | TSSOP-8 |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSSOP |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 8V |
| Width | 3.1mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet DMN3020UTS-13
pdf, 243 КБ
Datasheet DMN3020UTS-13
pdf, 306 КБ