DMP21D2UFA-7B, null X2-DFN0806-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 595 ֏
Описание
МОП-транзистор 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 330 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Qg - заряд затвора | 800 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 37.3 ns |
| Время спада | 163 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | DMP21 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 330 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.3 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet DMP21D2UFA-7B
pdf, 329 КБ