DMP31D0UFB4-7B, X2-DFN1006-3 MOSFETs

DMP31D0UFB4-7B, X2-DFN1006-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
225 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.137 ֏
от 150 шт.110 ֏
от 500 шт.94 ֏
5 шт. на сумму 1 125 ֏
Номенклатурный номер: 8025168548
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 760 mA
Pd - рассеивание мощности 460 mW
Qg - заряд затвора 1.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5.85 ns
Время спада 16.6 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 10000
Серия DMP31
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 35.7 ns
Типичное время задержки при включении 4.98 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок X2-DFN1006-3
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet DMP31D0UFB4-7B
pdf, 465 КБ