DMP31D0UFB4-7B, X2-DFN1006-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
225 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
137 ֏
от 150 шт. —
110 ֏
от 500 шт. —
94 ֏
5 шт.
на сумму 1 125 ֏
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 760 mA |
Pd - рассеивание мощности | 460 mW |
Qg - заряд затвора | 1.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5.85 ns |
Время спада | 16.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | DMP31 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35.7 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.98 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X2-DFN1006-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet DMP31D0UFB4-7B
pdf, 465 КБ