DSS5220V-7, 20V 600mW 155@1A,2V 2A PNP SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
128 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
93 ֏
5 шт.
на сумму 640 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 1 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 80 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DSS52 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
| Вес, г | 0.06 |