DXTP5820CFDB-7, DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

427 ֏

от 10 шт. — 348 ֏

от 30 шт. — 278 ֏

1 шт. на сумму 427 ֏

Номенклатурный номер: 8025168583

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Pd - рассеивание мощности	0.69 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100 at - 6 A, - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	155 at - 6 A, - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	235 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	U-DFN2020-3
Вес, г	0.06

pdf, 413 КБ