DDA123JU-7-F, SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT
![DDA123JU-7-F, SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/380/DOC025380935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
62 ֏
от 300 шт. —
49 ֏
10 шт.
на сумму 970 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
DC Current Gain hFE Max: | 80 |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Peak DC Collector Current: | 100 mA |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | DDA123 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | PNP |
Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.05 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ