DXTN10060DFJBWQ-7, 60V 1.8W 340@200mA,2V 4A NPN DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
291 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 455 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 at 10 mA, 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | W-DFN2020-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 4А |
DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
Power Dissipation | 1.8Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | WDFN2020 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 125МГц |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet DXTN10060DFJBWQ-7
pdf, 435 КБ