DSS3540M-7B, DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
176 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
128 ֏
от 150 шт. —
115 ֏
5 шт.
на сумму 880 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 350 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 at-500 mA, -2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DFN1006-3 |
Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DSS35 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 361 КБ