DMN60H080DS-13, SOT-23-3 MOSFETs ROHS
![DMN60H080DS-13, SOT-23-3 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
194 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
119 ֏
от 150 шт. —
97 ֏
от 500 шт. —
81 ֏
5 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 158 ns |
Forward Transconductance - Min: | 76 ms |
Id - Continuous Drain Current: | 80 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 1.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 67 Ohms |
Rise Time: | 10 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 466 КБ