DMT61M5SPSW-13, PowerDI5060-8(SWP) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 520 ֏
от 10 шт. —
2 730 ֏
1 шт.
на сумму 3 520 ֏
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
Power Dissipation | 2.7Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 215А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 2.7Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0011Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI 5060 |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet DMT61M5SPSW-13
pdf, 492 КБ